制造商型号： | SIR170DP-T1-RE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100 V PWRPAK SO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIR170DP-T1-RE3
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SIR170DP-T1-RE3 中文资料
数据手册PDF
SIR170DP-T1-RE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 95 A
漏源电阻 4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5.5 V
栅极电荷 93 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥22.806512 总价：￥22.81 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 22.806512 | 22.81 |
| 10 | 20.525861 | 205.26 |
| 100 | 16.494076 | 1649.41 |
| 500 | 13.551133 | 6775.57 |
| 1000 | 11.61529 | 11615.29 |
品牌其他型号
SIR170DP-T1-RE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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