制造商型号: | IXTH110N25T |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTH110N25T
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IXTH110N25T 中文资料
数据手册PDF
IXTH110N25T 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 157 nC
耗散功率 694 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 19 ns
外形参数
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 70.681975 | 70.68 |
30 | 56.406306 | 1692.19 |
120 | 50.469308 | 6056.32 |
510 | 44.531734 | 22711.18 |
1020 | 40.078625 | 40880.20 |
品牌其他型号
IXTH110N25T品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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