制造商型号: | 2N7000 |
制造商: | NTE |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | T-MOSFET N CHAN ENHAN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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NTE 2N7000
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2N7000 中文资料
数据手册PDF
2N7000 规格参数
属性
参数值
制造商型号
2N7000
制造商
NTE
商品描述
T-MOSFET N CHAN ENHAN
包装
-
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
5Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
Vgs(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
60pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-92
封装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
20 | 2.861396 | 57.23 |
40 | 2.718326 | 108.73 |
60 | 2.575256 | 154.52 |
80 | 2.432187 | 194.57 |
100 | 2.37496 | 237.50 |
品牌其他型号
2N7000品牌厂家:NTE
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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