制造商型号: | EPC2035 |
制造商: | EPS |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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EPS EPC2035
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EPC2035 中文资料
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EPC2035 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2035
制造商
EPS
商品描述
GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
45mOhm @ 1A, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 800µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.15nC @ 5V
Vgs(最大值)
+6V, -4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
115pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
Die
封装/外壳
Die
库存: 35000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 7.043422 | 17608.56 |
5000 | 6.707978 | 33539.89 |
12500 | 6.39833 | 79979.13 |
品牌其他型号
EPC2035品牌厂家:EPS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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