制造商型号: | SISS04DN-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212- |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SISS04DN-T1-GE3价格库存等采购信息! |
SILICONIX(威世) SISS04DN-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SISS04DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SISS04DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 93 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 95 S
上升时间 21 ns
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存: 2770
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 18.163355 | 18.16 |
10 | 16.235815 | 162.36 |
25 | 15.415375 | 385.38 |
100 | 11.560296 | 1156.03 |
250 | 11.449585 | 2862.40 |
500 | 9.798326 | 4899.16 |
1000 | 7.981744 | 7981.74 |
品牌其他型号
SISS04DN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购SISS04DN-T1-GE3、查询SISS04DN-T1-GE3代理商; SISS04DN-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有
SISS04DN-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
SISS04DN-T1-GE3替代型号
、
SISS04DN-T1-GE3数据手册PDF。