制造商型号： | ZVN4525E6TA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) ZVN4525E6TA
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ZVN4525E6TA 中文资料
数据手册PDF
ZVN4525E6TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 8.5 Ohms
栅极电压 - 40 V, + 40 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 2.6 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
正向跨导（Min） 0.3 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.4 ns
典型接通延迟时间 1.25 ns
外形参数
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 15 mg
库存： 426
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2.749435 | 2.75 |
| 10 | 2.537939 | 25.38 |
| 30 | 2.495649 | 74.87 |
| 100 | 2.368744 | 236.87 |
品牌其他型号
ZVN4525E6TA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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