制造商型号： | SI7111EDN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI7111EDN-T1-GE3
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SI7111EDN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7111EDN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 85 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
正向跨导（Min） 64 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 120 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥7.537238 总价：￥7.54 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.537238 | 7.54 |
| 10 | 6.663876 | 66.64 |
| 100 | 5.107376 | 510.74 |
| 500 | 4.037567 | 2018.78 |
| 1000 | 3.230005 | 3230.00 |
品牌其他型号
SI7111EDN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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