制造商型号: | ZVN2120GTA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
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DIODES(美台) ZVN2120GTA
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ZVN2120GTA 中文资料
数据手册PDF
ZVN2120GTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 320 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1000 | 2.832258 | 2832.26 |
2000 | 2.64346 | 5286.92 |
5000 | 2.511246 | 12556.23 |
10000 | 2.416846 | 24168.46 |
25000 | 2.391637 | 59790.92 |
品牌其他型号
ZVN2120GTA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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