制造商型号： | DMN10H099SK3-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMN10H099SK3-13
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DMN10H099SK3-13 中文资料
数据手册PDF
DMN10H099SK3-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 69 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 25.2 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.3 ns
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
DMN10H099SK3-13 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥7.697026 总价：￥7.70 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.697026 | 7.70 |
| 10 | 6.734897 | 67.35 |
| 100 | 5.160402 | 516.04 |
| 500 | 4.078972 | 2039.49 |
| 1000 | 3.2632 | 3263.20 |
品牌其他型号
DMN10H099SK3-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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