制造商型号： | DMN1019USN-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMN1019USN-13
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DMN1019USN-13 中文资料
数据手册PDF
DMN1019USN-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 9.3 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 530 mV
栅极电荷 50.6 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.8 ns
上升时间 57.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.2 ns
典型接通延迟时间 7.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥5.955661 总价：￥5.96 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.955661 | 5.96 |
| 10 | 4.837456 | 48.37 |
| 100 | 3.290198 | 329.02 |
| 500 | 2.467589 | 1233.79 |
| 1000 | 1.850632 | 1850.63 |
| 2000 | 1.696513 | 3393.03 |
| 5000 | 1.593565 | 7967.82 |
品牌其他型号
DMN1019USN-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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