制造商型号： | SQD07N25-350H_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SQD07N25-350H_GE3
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SQD07N25-350H_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQD07N25-350H_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 290 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导（Min） 20 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 1804
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 17.669114 | 17.67 |
| 10 | 15.741574 | 157.42 |
| 25 | 14.945846 | 373.65 |
| 100 | 11.209385 | 1120.94 |
| 250 | 11.102629 | 2775.66 |
| 500 | 9.501288 | 4750.64 |
| 1000 | 7.739813 | 7739.81 |
品牌其他型号
SQD07N25-350H_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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