制造商型号: | TSM60NB1R4CH C5G |
制造商: | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM60NB1R4CH C5G
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TSM60NB1R4CH C5G 中文资料
数据手册PDF
TSM60NB1R4CH C5G 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 7.12 nC
耗散功率 28.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.4 ns
上升时间 11.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 13.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB1R4CH
单位重量 340 mg
TSM60NB1R4CH C5G 同类别型号
品牌其他型号
TSM60NB1R4CH C5G品牌厂家:Taiwan Semiconductor
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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