制造商型号： | DMG4466SSS-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMG4466SSS-13
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DMG4466SSS-13 中文资料
数据手册PDF
DMG4466SSS-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 1.42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
上升时间 7.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.6 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 1198
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5 | 1.266016 | 6.33 |
| 50 | 0.98059 | 49.03 |
| 150 | 0.928166 | 139.22 |
| 500 | 0.875741 | 437.87 |
| 2500 | 0.85244 | 2131.10 |
品牌其他型号
DMG4466SSS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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