制造商型号： | IXFX32N100Q3 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFX32N100Q3
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IXFX32N100Q3 中文资料
数据手册PDF
IXFX32N100Q3 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 32 A
漏源电阻 320 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 195 nC
耗散功率 1.25 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
上升时间 250 ns
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 300
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 407.625115 | 407.63 |
| 10 | 375.919566 | 3759.20 |
| 100 | 321.014353 | 32101.44 |
| 500 | 291.446891 | 145723.45 |
品牌其他型号
IXFX32N100Q3品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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