制造商型号： | RD3S075CNTL1 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | NCH 190V 7.5A POWER MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) RD3S075CNTL1
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RD3S075CNTL1 中文资料
数据手册PDF
RD3S075CNTL1 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 190 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 336 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 30 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导（Min） 4 S
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 2463
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 22.728172 | 22.73 |
| 10 | 20.455354 | 204.55 |
| 100 | 16.441228 | 1644.12 |
| 500 | 13.507637 | 6753.82 |
| 1000 | 11.192087 | 11192.09 |
品牌其他型号
RD3S075CNTL1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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