制造商型号: | IRFD120PBF |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) IRFD120PBF
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IRFD120PBF 中文资料
数据手册PDF
IRFD120PBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 270 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 0.8 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns
外形参数
高度 3.37 mm
长度 6.29 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.821 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 9.590734 | 9.59 |
10 | 7.867286 | 78.67 |
100 | 6.117879 | 611.79 |
2500 | 3.976621 | 9941.55 |
5000 | 3.787259 | 18936.30 |
品牌其他型号
IRFD120PBF品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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