制造商型号： | DMT6009LCT |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMT6009LCT
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DMT6009LCT 中文资料
数据手册PDF
DMT6009LCT 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 37.2 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.263212 | 6.26 |
| 50 | 5.058084 | 252.90 |
| 100 | 4.008456 | 400.85 |
| 500 | 3.397396 | 1698.70 |
| 1000 | 2.767548 | 2767.55 |
品牌其他型号
DMT6009LCT品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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