制造商型号： | IRFBE30PBF |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) IRFBE30PBF
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IRFBE30PBF 中文资料
数据手册PDF
IRFBE30PBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 82 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFBE30PBF-BE3
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.575929 | 15.58 |
| 50 | 12.527085 | 626.35 |
| 100 | 10.306794 | 1030.68 |
| 500 | 8.720934 | 4360.47 |
| 1000 | 7.399576 | 7399.58 |
品牌其他型号
IRFBE30PBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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