制造商型号： | IRFIBF30GPBF |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
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客服： | |
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SILICONIX(威世) IRFIBF30GPBF
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IRFIBF30GPBF 中文资料
数据手册PDF
IRFIBF30GPBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 3.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | 13.285585 | 13285.58 |
品牌其他型号
IRFIBF30GPBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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