制造商型号: | SI7806ADN-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI7806ADN-T1-E3
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SI7806ADN-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI7806ADN-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 3.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7806ADN-E3
单位重量 1 g
SI7806ADN-T1-E3 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥17.161336 总价:¥17.16 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 17.161336 | 17.16 |
10 | 15.388751 | 153.89 |
100 | 11.997128 | 1199.71 |
500 | 9.910672 | 4955.34 |
1000 | 7.824215 | 7824.22 |
品牌其他型号
SI7806ADN-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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