制造商型号： | DMT8008LFG-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET 61V~100V POWERDI3333-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMT8008LFG-7
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DMT8008LFG-7 中文资料
数据手册PDF
DMT8008LFG-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 6.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 37.7 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 6.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
库存： 1395
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 17.333651 | 17.33 |
| 10 | 14.141266 | 141.41 |
| 100 | 10.995022 | 1099.50 |
| 500 | 9.319519 | 4659.76 |
| 1000 | 7.591765 | 7591.76 |
品牌其他型号
DMT8008LFG-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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