制造商型号： | NVD6416ANLT4G |
制造商： | ROCHESTER (罗彻斯特电子) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | N-CHANNEL POWER MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROCHESTER(罗彻斯特电子) NVD6416ANLT4G
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NVD6416ANLT4G 中文资料
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NVD6416ANLT4G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NVD6416ANLT4G
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Bulk
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Last Time Buy
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
74mOhm @ 19A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
40nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1nF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK (SINGLE GAUGE)
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
库存： 12500
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
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NVD6416ANLT4G品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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