制造商型号: | SQ3426EV-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQ3426EV-T1_GE3
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SQ3426EV-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ3426EV-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.3 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ3426EV-T1_BE3
单位重量 20 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥9.168515 总价:¥9.17 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 9.168515 | 9.17 |
10 | 8.047919 | 80.48 |
100 | 6.174599 | 617.46 |
500 | 4.88082 | 2440.41 |
1000 | 3.904656 | 3904.66 |
品牌其他型号
SQ3426EV-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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