制造商型号: | DMN6066SSS-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN6066SSS-13
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DMN6066SSS-13 中文资料
数据手册PDF
DMN6066SSS-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.7 A
漏源电阻 48 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 1.56 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 19.2 S
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 4970
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 9.968575 | 9.97 |
10 | 8.585436 | 85.85 |
100 | 5.946256 | 594.63 |
500 | 4.968588 | 2484.29 |
1000 | 4.22867 | 4228.67 |
品牌其他型号
DMN6066SSS-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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