制造商型号: | FQPF18N20V2 |
制造商: | ROCHESTER (罗彻斯特电子) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ROCHESTER(罗彻斯特电子) FQPF18N20V2
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FQPF18N20V2 中文资料
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FQPF18N20V2 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FQPF18N20V2
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Tube
系列
QFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
140mOhm @ 9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
26nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1.08pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
40W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack
库存: 1234
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
257 | 14.055581 | 3612.28 |
品牌其他型号
FQPF18N20V2品牌厂家:ROCHESTER
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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