制造商型号： | SIHA6N65E-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHA6N65E-E3
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SIHA6N65E-E3 中文资料
数据手册PDF
SIHA6N65E-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 12 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥24.664086 总价：￥24.66 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 24.664086 | 24.66 |
| 10 | 22.173378 | 221.73 |
| 100 | 17.824967 | 1782.50 |
| 500 | 14.645364 | 7322.68 |
| 1000 | 12.134731 | 12134.73 |
| 2000 | 11.297852 | 22595.70 |
| 5000 | 10.879414 | 54397.07 |
| 10000 | 10.600454 | 106004.54 |
品牌其他型号
SIHA6N65E-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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