制造商型号： | ZXMN20B28KTC |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) ZXMN20B28KTC
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ZXMN20B28KTC 中文资料
数据手册PDF
ZXMN20B28KTC 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 750 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 8.1 nC
耗散功率 4.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 57.1 ns
正向跨导（Min） 6.13 S
上升时间 76.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44.7 ns
典型接通延迟时间 17.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 1.566994 | 3917.49 |
| 5000 | 1.458873 | 7294.37 |
| 12500 | 1.404867 | 17560.84 |
| 25000 | 1.350861 | 33771.53 |
品牌其他型号
ZXMN20B28KTC品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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