制造商型号： | DMTH6016LPSQ-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMTH6016LPSQ-13
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DMTH6016LPSQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMTH6016LPSQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 37 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 37.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 96 mg
库存： 106662
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.829041 | 7.83 |
| 10 | 6.660899 | 66.61 |
| 100 | 4.627834 | 462.78 |
| 500 | 3.613042 | 1806.52 |
| 1000 | 2.936636 | 2936.64 |
品牌其他型号
DMTH6016LPSQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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