制造商型号: | SIR112DP-T1-RE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHAN 40V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SIR112DP-T1-RE3
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SIR112DP-T1-RE3 中文资料
数据手册PDF
SIR112DP-T1-RE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 133 A
漏源电阻 1.96 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 59 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 151 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥16.830402 总价:¥16.83 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 16.830402 | 16.83 |
10 | 14.996468 | 149.96 |
100 | 11.696549 | 1169.65 |
500 | 9.662276 | 4831.14 |
1000 | 7.628234 | 7628.23 |
品牌其他型号
SIR112DP-T1-RE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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