制造商型号: | SQ2361ES-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SQ2361ES-T1_GE3
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SQ2361ES-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ2361ES-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 177 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ2361ES-T1_BE3
单位重量 8 mg
SQ2361ES-T1_GE3 同类别型号
库存: 155
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.565759 | 7.57 |
10 | 6.71311 | 67.13 |
100 | 5.143514 | 514.35 |
500 | 4.065815 | 2032.91 |
1000 | 3.252676 | 3252.68 |
品牌其他型号
SQ2361ES-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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