制造商型号: | NSB13211DW6T1G |
制造商: | ROCHESTER (罗彻斯特电子) |
产品类别: | 晶体管-双极 |
商品描述: | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROCHESTER(罗彻斯特电子) NSB13211DW6T1G
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NSB13211DW6T1G 中文资料
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NSB13211DW6T1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NSB13211DW6T1G
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
4.7kOhms, 10kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2)
4.7kOhms, 10kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
230mW
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
NSB13211DW6T1G 同类别型号
库存: 383930
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
15000 | 0.247121 | 3706.82 |