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DIODES(美台) DMTH43M8LPSQ-13

DIODES(美台) DMTH43M8LPSQ-13
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

DMTH43M8LPSQ-13

制造商:

DIODES (美台)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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DMTH43M8LPSQ-13 中文资料

DMTH43M8LPSQ-13 规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 100 A

漏源电阻 3.3 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 49 nC

耗散功率 83 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11 ns

上升时间 5.7 ns

典型关闭延迟时间 23.5 ns

典型接通延迟时间 5.2 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 97 mg

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥15.27049 总价:¥15.27

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 15.27049 15.27
10 13.672416 136.72
100 10.663301 1066.33
500 8.808824 4404.41
1000 6.954348 6954.35
品牌其他型号
DMTH43M8LPSQ-13品牌厂家:DIODES ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购DMTH43M8LPSQ-13、查询DMTH43M8LPSQ-13代理商; DMTH43M8LPSQ-13价格批发咨询客服;这里拥有 DMTH43M8LPSQ-13中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 DMTH43M8LPSQ-13替代型号DMTH43M8LPSQ-13数据手册PDF