制造商型号: | RS1E281BNTB1 |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | RS1E281BN IS LOW ON-RESISTANCE A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) RS1E281BNTB1
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RS1E281BNTB1 中文资料
数据手册PDF
RS1E281BNTB1 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 94 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 100 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 160 ns
典型接通延迟时间 31 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 771.020 mg
库存: 2500
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 19.769638 | 19.77 |
10 | 17.74325 | 177.43 |
25 | 16.744883 | 418.62 |
100 | 13.059082 | 1305.91 |
250 | 12.724234 | 3181.06 |
500 | 11.049992 | 5525.00 |
1000 | 9.375751 | 9375.75 |
品牌其他型号
RS1E281BNTB1品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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