制造商型号： | CEDM7002AE TR PBFREE |
制造商： | CENTRAL (美国中央) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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CENTRAL(美国中央) CEDM7002AE TR PBFREE
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CEDM7002AE TR PBFREE 中文资料
数据手册PDF
CEDM7002AE TR PBFREE 规格参数
关键信息
制造商 Central Semiconductor
商标 Central Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 -
栅极电荷 500 pC
耗散功率 100 mW
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 51.863 mg
CEDM7002AE TR PBFREE 同类别型号
库存： 2885
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.583878 | 4.58 |
| 10 | 3.543214 | 35.43 |
| 100 | 2.128408 | 212.84 |
| 500 | 1.97082 | 985.41 |
| 1000 | 1.340102 | 1340.10 |
| 2000 | 1.233683 | 2467.37 |
品牌其他型号
CEDM7002AE TR PBFREE品牌厂家：CENTRAL
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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