制造商型号： | DMPH6050SFGQ-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMPH6050SFGQ-7
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DMPH6050SFGQ-7 中文资料
数据手册PDF
DMPH6050SFGQ-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 24.1 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25.3 ns
上升时间 6.3 ns
典型关闭延迟时间 46.7 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2000 | 2.924945 | 5849.89 |
品牌其他型号
DMPH6050SFGQ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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