制造商型号: | SI2318DS-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI2318DS-T1-GE3
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SI2318DS-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI2318DS-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2318DS-T1-BE3 SI2318DS-GE3
单位重量 8 mg
库存: 10708
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.344406 | 6.34 |
10 | 5.398964 | 53.99 |
100 | 3.756883 | 375.69 |
500 | 2.933107 | 1466.55 |
1000 | 2.384129 | 2384.13 |
品牌其他型号
SI2318DS-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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