制造商型号： | PSMN4R8-100BSEJ |
制造商： | Nexperia (安世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Nexperia(安世) PSMN4R8-100BSEJ
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PSMN4R8-100BSEJ 中文资料
数据手册PDF
PSMN4R8-100BSEJ 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 196 nC
耗散功率 405 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 69 ns
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 127 ns
典型接通延迟时间 41 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934067369118
单位重量 4 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 800 | 14.92097 | 11936.78 |
| 1600 | 12.776136 | 20441.82 |
| 2400 | 12.030062 | 28872.15 |
品牌其他型号
PSMN4R8-100BSEJ品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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