制造商型号： | DMT6015LSS-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMT6015LSS-13
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DMT6015LSS-13 中文资料
数据手册PDF
DMT6015LSS-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 9.2 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 18.9 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 11821
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.759816 | 8.76 |
| 10 | 7.753621 | 77.54 |
| 100 | 5.943654 | 594.37 |
| 500 | 4.69834 | 2349.17 |
| 1000 | 3.758672 | 3758.67 |
品牌其他型号
DMT6015LSS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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