制造商型号： | BS107PSTZ |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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DIODES(美台) BS107PSTZ
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BS107PSTZ 中文资料
数据手册PDF
BS107PSTZ 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 120 mA
漏源电阻 15 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2000 | 2.541088 | 5082.18 |
| 6000 | 2.407374 | 14444.24 |
| 10000 | 2.228991 | 22289.91 |
品牌其他型号
BS107PSTZ品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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