制造商型号: | 2N7002/HAMR |
制造商: | Nexperia (安世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | 2N7002/SOT23/TO-236AB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Nexperia(安世) 2N7002/HAMR
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2N7002/HAMR 中文资料
数据手册PDF
2N7002/HAMR 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 830 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934660832215
单位重量 8 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.302577 | 907.73 |
6000 | 0.280727 | 1684.36 |
9000 | 0.232774 | 2094.97 |
30000 | 0.228664 | 6859.92 |
75000 | 0.205372 | 15402.90 |
品牌其他型号
2N7002/HAMR品牌厂家:Nexperia
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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