制造商型号： | DMG2301L-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMG2301L-7
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DMG2301L-7 中文资料
数据手册PDF
DMG2301L-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 5.5 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.395961 | 1187.88 |
| 6000 | 0.367332 | 2203.99 |
| 9000 | 0.304597 | 2741.37 |
| 30000 | 0.299188 | 8975.64 |
| 75000 | 0.268757 | 20156.78 |
品牌其他型号
DMG2301L-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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