制造商型号： | TSM280NB06LCR RLG |
制造商： | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM280NB06LCR RLG
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TSM280NB06LCR RLG 中文资料
数据手册PDF
TSM280NB06LCR RLG 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 28 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 56 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 31 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM280NB06LCR
单位重量 372.608 mg
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品牌其他型号
TSM280NB06LCR RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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