制造商型号： | XP261N7002TR-G |
制造商： | TOREX (特瑞仕) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TOREX(特瑞仕) XP261N7002TR-G
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XP261N7002TR-G 中文资料
数据手册PDF
XP261N7002TR-G 规格参数
关键信息
制造商 Torex Semiconductor
商标 Torex Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 150 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 380 pC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
品牌其他型号
XP261N7002TR-G品牌厂家：TOREX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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