制造商型号: | CXDM6053N TR PBFREE |
制造商: | CENTRAL (美国中央) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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CENTRAL(美国中央) CXDM6053N TR PBFREE
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CXDM6053N TR PBFREE 中文资料
数据手册PDF
CXDM6053N TR PBFREE 规格参数
关键信息
制造商 Central Semiconductor
商标 Central Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.8 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 130.500 mg
CXDM6053N TR PBFREE 同类别型号
库存: 1000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1000 | 5.016546 | 5016.55 |
2000 | 4.947352 | 9894.70 |
5000 | 4.497593 | 22487.97 |
10000 | 4.290012 | 42900.12 |
25000 | 4.151624 | 103790.60 |
品牌其他型号
CXDM6053N TR PBFREE品牌厂家:CENTRAL
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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