制造商型号： | IRFIB5N65APBF |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) IRFIB5N65APBF
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IRFIB5N65APBF 中文资料
数据手册PDF
IRFIB5N65APBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 5.1 A
漏源电阻 930 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 30.236194 | 30.24 |
| 50 | 23.972983 | 1198.65 |
| 100 | 20.548373 | 2054.84 |
| 500 | 18.264965 | 9132.48 |
| 1000 | 15.639384 | 15639.38 |
品牌其他型号
IRFIB5N65APBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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