制造商型号: | SIJ186DP-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIJ186DP-T1-GE3
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SIJ186DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIJ186DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 79.4 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 24.5 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 54 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIJ186DP-T1-GE3 同类别型号
库存: 11793
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 13.628694 | 13.63 |
10 | 11.150749 | 111.51 |
100 | 8.671567 | 867.16 |
500 | 7.350576 | 3675.29 |
1000 | 5.987706 | 5987.71 |
品牌其他型号
SIJ186DP-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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