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ST(意法半导体) STQ1NK60ZR-AP

ST(意法半导体) STQ1NK60ZR-AP
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

STQ1NK60ZR-AP

制造商:

ST (意法半导体)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

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STQ1NK60ZR-AP 中文资料

STQ1NK60ZR-AP 规格参数

属性
参数值

制造商型号

STQ1NK60ZR-AP

制造商

ST(意法半导体)

商品描述

MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

包装

Tape & Box (TB)

系列

SuperMESH™

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

300mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

15Ohm @ 400mA, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

6.9nC @ 10V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

94pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

3W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

供应商器件封装

TO-92-3

封装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

库存: 50

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥1.494108 总价:¥1.49
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价格(含增值税)

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