制造商型号： | DMN2015UFDE-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMN2015UFDE-7
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DMN2015UFDE-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2015UFDE-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10.5 A
漏源电阻 9.3 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 45.6 nC
耗散功率 660 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.9 ns
上升时间 16.8 ns
典型关闭延迟时间 43.6 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1.36551 | 1.37 |
| 10 | 1.011486 | 10.11 |
| 30 | 0.946481 | 28.39 |
| 100 | 0.881394 | 88.14 |
| 500 | 0.852559 | 426.28 |
品牌其他型号
DMN2015UFDE-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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