制造商型号： | DMN65D8LFB-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMN65D8LFB-7
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DMN65D8LFB-7 中文资料
数据手册PDF
DMN65D8LFB-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 -
耗散功率 430 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.29 ns
正向跨导（Min） -
上升时间 3.15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.025 ns
典型接通延迟时间 3.27 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.096796 | 0.10 |
| 10 | 0.094558 | 0.95 |
| 30 | 0.093073 | 2.79 |
| 100 | 0.091577 | 9.16 |
品牌其他型号
DMN65D8LFB-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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