制造商型号： | DMN65D8LQ-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V SOT23 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN65D8LQ-7
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DMN65D8LQ-7 中文资料
数据手册PDF
DMN65D8LQ-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 310 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 870 pC
耗散功率 540 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 60557
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2.667958 | 2.67 |
| 10 | 2.134367 | 21.34 |
| 100 | 1.133882 | 113.39 |
| 500 | 0.745816 | 372.91 |
| 1000 | 0.507156 | 507.16 |
品牌其他型号
DMN65D8LQ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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